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随着现代科学研究的不断发展，加工工艺和制造技术的精度也不断提高，机械工程学科开始与化学、物理、材料等学科不断融合交叉，诞生了“原子尺度、近原子尺度制造”这一学科新的前沿领域。

所谓原子尺度、近原子尺度制造，指的是在原子以及近原子尺度上进行制造和加工的过程，原子层沉积技术ALD即是一种利用原子层沉积技术在材料表面逐层生长薄膜的方法，可以实现非常精确的薄膜厚度控制和材料组成调控，被广泛应用于微电子、光电子、触摸屏等领域。

Production type low-pressure chemical vapordeposition equipment

量产型全自动低压化气相沉积设备

气体供给

量程0-2000SCCM

控制精度  2%FS

加热系统

极限温度：1100°C

控制精度：±1°C

真空系统

极限真空<1Pa

漏率<0.5Pa/min

压力自动控制系统

控制精度0~10 kPa 5%

          0~101 kPa 10%

控制系统

全自动，一键执行生产

特点

多通道并行生产

AI辅助优化工艺参数

在线原位检测生产质量

发明专利

专利号202410122780.0

专利号202410122778.3

专利号202410122785.3

专利号202410122781.5

售价  1,000,000  RMB  起

我司自主研发的科研型全自动CVD装备，在兼容手动控制系统的基础上，进阶升级了全自动控制系统。系统自带多种实验参数，可按照设定配方一键完成试验，大大提高了科研效率。

同时，装备的控制系统支持自动模式、手动模式相互切换，方便自主设计实验细节。

Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD

低压半自动CVD装备

售价 250,000 RMB 起

最高5路气体供给

量程  0~500SCCM

控制精度  2%FS

气体供给

极限温度：1100°C

控制精度：±1°C

加热系统

控制精度0~10 kPa 5%

          0~101 kPa 10%

压力自动控制系统

极限真空<1Pa

漏率<0.5Pa/min

真空系统

控制系统

手动/自动模式可切换

仪表、触摸屏同步控制

内置常用一维、二维材料及异质结制备工艺

发明专利

专利号202410122780.0

常压化学沉积（Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition，APCVD）是最早使用的，在常压条件下进行沉积的一种方法。APCVD设备简单，化学反应速度快，薄膜沉积的速率可高于100nm/min，非常适合用于沉积介质薄膜。

其缺点是APCVD很容易有气相反应发生，而引起微粒污染，而且以硅烷为反应剂沉积二氧化硅薄膜时，其台阶的覆盖性和薄膜的均匀性都相对较差，所以它通常用于沉积较厚的介质薄膜，基本不应用于集成电路制造。

APCVD淀积温度为400~800°C，一般是由质量输运机制控制淀积速率，因此能精确控制在单位时间内到达每个硅片表面及同一表面同一位置的反应剂数量，可以获得较好的膜厚均匀性。

Atmospheric Pressure CVD Equipment

常压手动CVD装备

气体供给

最高3路气体供给

量程  0~500SCCM

控制精度  2%FS

极限温度：1100°C

控制精度：±1°C

加热系统

售价 100,000 RMB 起

我司自主研发的高品质电热炉，采用国际先进技术，具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉*温度均匀性高等特点。可选择单设定点或4*8段可编程温度曲线进行加热控制。

节能型的陶瓷纤维材料和双层结构，可将外表面温度降至接近室温，处于国内领先水平。

High Quality Furnace

高品质电热炉

售价 30,000 RMB 起

加热系统

极限温度：1100°C

控制精度：±1°C

单壁碳纳米管

Single-walled carbon nanotube (SWCNT)

多壁碳纳米管

multi-walled carbon nanotubes

石墨烯

Graphene

二维材料

Two-dimensional material

异质结纳米管

Heterojunction Nanotubes

TMDC纳米管

Transition Metal Dichalcogenide Nanotubes